Storyboard

Mide la capacitancia de una unión p-n o estructura MOS en función del voltaje aplicado para extraer el perfil de dopaje en profundidad; usa directamente el ancho de agotamiento de M1.

>Modelo

ID:('ky', 1744)

Storyboard

$C=\frac{\varepsilon_sA}{W}$

Variables

$C$

Capacitancia de la unión

$F$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$W$

Ancho de agotamiento

$m$

$A$

Área de la unión

$m²$

>Modelo

ID:('gm', 15018)

Storyboard

$W=\sqrt{\frac{2\varepsilon_s(V_{bi}-V)}{eN_0}}$

Variables

$N_0$

Dopaje nominal usado para generar C-V

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$V_{bi}$

Potencial built-in de la unión

$V$

$V$

Voltaje aplicado

$V$

$W$

Ancho de agotamiento

$m$

>Modelo

ID:('gm', 15019)

Storyboard

$N(x)=\frac{2}{e\varepsilon_sA^2,d(1/C^2)/dV}$

Variables

$N(x)$

Perfil de dopaje extraído

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$C$

Capacitancia de la unión

$F$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$V$

Voltaje aplicado

$V$

$A$

Área de la unión

$m²$

>Modelo

ID:('gm', 15020)

Storyboard

$x=\frac{\varepsilon_sA}{C}$

Variables

$C$

Capacitancia de la unión

$F$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$x$

Profundidad asociada a la medición

$m$

$A$

Área de la unión

$m²$

>Modelo

ID:('gm', 15021)

Storyboard

$\frac{dV}{dt}=\frac{V_{target}-V}{\tau}$

Variables

$V$

Voltaje aplicado

$V$

$V_{target}$

Voltaje objetivo ajustable

$V$

$ au$

Constante temporal de respuesta

$s$

>Modelo

ID:('gm', 15022)

Descripción

Red de modelo

• Método alternativo
• Método tradicional
• Estrategia
• 2D
• 3D

Ecuación

Número

Primero, seleccione la ecuación:   a ,  luego, seleccione la variable:   a 

---

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

Cálculos

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

 Variable   Dado   Calcule   Objetivo :   Ecuación   A utilizar

Variables

$N_0$

N0_doping

Dopaje nominal usado para generar C-V

1/m³

$N(x)$

N_profile

Perfil de dopaje extraído

1/m³

$e$

e_ch

Carga elemental

C

$C$

C_junction

Capacitancia de la unión

F

$varepsilon_s$

eps_s

Permitividad del semiconductor

F/m

$V_{bi}$

V_bi_junction

Potencial built-in de la unión

V

$V$

V_applied

Voltaje aplicado

V

$V_{target}$

V_target

Voltaje objetivo ajustable

V

$W$

W_depl

Ancho de agotamiento

m

$x$

x_depth_profile

Profundidad asociada a la medición

m

$A$

A_junction

Área de la unión

m²

$ au$

tau

Constante temporal de respuesta

s

ID:(0, 1744)