Storyboard

Cuando la longitud del canal se acerca al ancho de la región de agotamiento de las junturas fuente/drenaje, el modelo simple de M2 falla: el voltaje umbral cae con L (roll-off) y depende de V_DS (DIBL).

>Modelo

ID:('ky', 1740)

Storyboard

$\Delta V_{th}=-\frac{V_{bi}x_j}{L}\sqrt{1+\frac{2W_m}{x_j}}$

Variables

$V_{bi}$

Potencial built-in de juntura

$V$

$Delta V_{th}$

Reducción por canal corto

$V$

$W_m$

Ancho máximo de agotamiento

$m$

$L$

Longitud de canal

$m$

$x_j$

Profundidad de juntura

$m$

>Modelo

ID:('gm', 14992)

Storyboard

$\Delta V_{th,DIBL}=-\lambda_DV_{DS}$

Variables

$lambda_D$

Coeficiente DIBL

$1$

$Delta V_{th,DIBL}$

Reducción por DIBL

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

>Modelo

ID:('gm', 14993)

Storyboard

$V_{th}^{short}=V_{th0}-|\Delta V_{th}|+\Delta V_{th,DIBL}$

Variables

$Delta V_{th}$

Reducción por canal corto

$V$

$Delta V_{th,DIBL}$

Reducción por DIBL

$V$

$V_{th0}$

Umbral de canal largo

$V$

$V_{th}^{short}$

Voltaje umbral efectivo

$V$

>Modelo

ID:('gm', 14994)

Storyboard

$\frac{dV_{DS}}{dt}=\frac{V_{DS,target}-V_{DS}}{\tau}$

Variables

$V_{DS,target}$

Valor objetivo de VDS

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

$ au$

Constante temporal

$s$

>Modelo

ID:('gm', 14995)

Storyboard

$V_{ov}=V_{GS}-V_{th}^{short}$

Variables

$V_{ov}$

Sobrevoltaje de compuerta

$V$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$V_{th}^{short}$

Voltaje umbral efectivo

$V$

>Modelo

ID:('gm', 14996)

Storyboard

$\beta=\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}$

Variables

$\beta$

Parámetro transconductancia

$A/V²$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por área

$F/m²$

$W$

Ancho del transistor

$m$

$L$

Longitud de canal

$m$

$mu_n$

Movilidad electrónica

$m²/V·s$

>Modelo

ID:('gm', 14997)

Storyboard

$I_D=\beta(V_{ov}V_{DS}-\frac{1}{2}V_{DS}^2)$

Variables

$I_{D,lin}$

Corriente en región lineal

$A$

$\beta$

Parámetro transconductancia

$A/V²$

$V_{ov}$

Sobrevoltaje de compuerta

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

>Modelo

ID:('gm', 14998)

Storyboard

$I_D=\frac{1}{2}\beta V_{ov}^2(1+\lambda_DV_{DS})$

Variables

$lambda_D$

Coeficiente DIBL

$1$

$I_{D,sat}$

Corriente en saturación

$A$

$\beta$

Parámetro transconductancia

$A/V²$

$V_{ov}$

Sobrevoltaje de compuerta

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

>Modelo

ID:('gm', 14999)

Descripción

Red de modelo

• Método alternativo
• Método tradicional
• Estrategia
• 2D
• 3D

Ecuación

Número

Primero, seleccione la ecuación:   a ,  luego, seleccione la variable:   a 

---

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

Cálculos

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

 Variable   Dado   Calcule   Objetivo :   Ecuación   A utilizar

Variables

$lambda_D$

DIBL_coeff

Coeficiente DIBL

1

$I_{D,lin}$

I_D_linear

Corriente en región lineal

A

$I_{D,sat}$

I_D_sat

Corriente en saturación

A

$\beta$

beta

Parámetro transconductancia

A/V²

$C_{ox}$

C_ox

Capacitancia de óxido por área

F/m²

$V_{bi}$

V_bi_junction

Potencial built-in de juntura

V

$Delta V_{th}$

Delta_V_th_rolloff

Reducción por canal corto

V

$Delta V_{th,DIBL}$

Delta_V_th_DIBL

Reducción por DIBL

V

$V_{ov}$

V_ov

Sobrevoltaje de compuerta

V

$V_{th0}$

V_th0

Umbral de canal largo

V

$V_{DS,target}$

V_DS_target

Valor objetivo de VDS

V

$V_{GS}$

V_GS

Voltaje compuerta-fuente

V

$V_{DS}$

V_DS

Voltaje drenaje-fuente

V

$V_{th}^{short}$

V_th_short

Voltaje umbral efectivo

V

$W$

W_gate

Ancho del transistor

m

$W_m$

W_depl_max

Ancho máximo de agotamiento

m

$L$

L_gate

Longitud de canal

m

$x_j$

x_j_depth

Profundidad de juntura

m

$ au$

tau

Constante temporal

s

$mu_n$

mu_n

Movilidad electrónica

m²/V·s

ID:(0, 1740)