Storyboard

El voltaje de compuerta modula la carga del canal, controlando la corriente drenaje-fuente; el modelo cuadrático es válido mientras el canal sea largo (contrastar con A3).

>Modelo

ID:('ky', 1733)

Storyboard

$C_{ox}=\frac{\varepsilon_{ox}}{t_{ox}}$

Variables

$varepsilon_{ox}$

Permitividad del óxido

$F/m$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por unidad de área

$F/m²$

$t_{ox}$

Espesor del óxido

$m$

>Modelo

ID:('gm', 14943)

Storyboard

$V_{th}=V_{FB}+2\phi_F+\frac{\sqrt{2\varepsilon_seN_A(2\phi_F)}}{C_{ox}}$

Variables

$N_A$

Concentración aceptora del sustrato

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por unidad de área

$F/m²$

$phi_F$

Potencial de Fermi

$V$

$V_{FB}$

Voltaje de banda plana

$V$

$V_{th}$

Voltaje umbral

$V$

>Modelo

ID:('gm', 14944)

Storyboard

$V_{ov}=V_{GS}-V_{th}$

Variables

$V_{ov}$

Sobrevoltaje de compuerta

$V$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$V_{th}$

Voltaje umbral

$V$

>Modelo

ID:('gm', 14945)

Storyboard

$\beta=\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}$

Variables

$\beta$

Factor de transconductancia

$A/V²$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por unidad de área

$F/m²$

$W$

Ancho de canal

$m$

$L$

Longitud de canal

$m$

$mu_n$

Movilidad electrónica

$m²/V·s$

>Modelo

ID:('gm', 14946)

Storyboard

$I_D=\mu_nC_{ox}\frac{W}{L}\left[(V_{GS}-V_{th})V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2}\right]$

Variables

$I_D$

Corriente de drenaje lineal/seleccionada

$A$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por unidad de área

$F/m²$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

$V_{th}$

Voltaje umbral

$V$

$W$

Ancho de canal

$m$

$L$

Longitud de canal

$m$

$mu_n$

Movilidad electrónica

$m²/V·s$

>Modelo

ID:('gm', 14947)

Storyboard

$I_{D,sat}=\frac{\mu_nC_{ox}}{2}\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{th})^2$

Variables

$I_{D,sat}$

Corriente de saturación

$A$

$C_{ox}$

Capacitancia de óxido por unidad de área

$F/m²$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$V_{th}$

Voltaje umbral

$V$

$W$

Ancho de canal

$m$

$L$

Longitud de canal

$m$

$mu_n$

Movilidad electrónica

$m²/V·s$

>Modelo

ID:('gm', 14948)

Storyboard

$\frac{dV_{GS}}{dt}=\frac{V_{GS,target}-V_{GS}}{\tau}$

Variables

$V_{GS,target}$

Objetivo dinámico de compuerta

$V$

$V_{GS}$

Voltaje compuerta-fuente

$V$

$ au$

Constante temporal de respuesta

$s$

>Modelo

ID:('gm', 14949)

Storyboard

$\frac{dV_{DS}}{dt}=\frac{V_{DS,target}-V_{DS}}{\tau}$

Variables

$V_{DS,target}$

Objetivo dinámico drenaje-fuente

$V$

$V_{DS}$

Voltaje drenaje-fuente

$V$

$ au$

Constante temporal de respuesta

$s$

>Modelo

ID:('gm', 14950)

Descripción

Red de modelo

• Método alternativo
• Método tradicional
• Estrategia
• 2D
• 3D

Ecuación

Número

Primero, seleccione la ecuación:   a ,  luego, seleccione la variable:   a 

---

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

Cálculos

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

 Variable   Dado   Calcule   Objetivo :   Ecuación   A utilizar

Variables

$N_A$

N_A_acc

Concentración aceptora del sustrato

1/m³

$I_D$

I_D

Corriente de drenaje lineal/seleccionada

A

$I_{D,sat}$

I_D_sat

Corriente de saturación

A

$e$

e_ch

Carga elemental

C

$\beta$

beta

Factor de transconductancia

A/V²

$varepsilon_{ox}$

eps_ox

Permitividad del óxido

F/m

$varepsilon_s$

eps_s

Permitividad del semiconductor

F/m

$C_{ox}$

C_ox

Capacitancia de óxido por unidad de área

F/m²

$V_{GS,target}$

V_GS_target

Objetivo dinámico de compuerta

V

$V_{DS,target}$

V_DS_target

Objetivo dinámico drenaje-fuente

V

$phi_F$

phi_F

Potencial de Fermi

V

$V_{ov}$

V_ov

Sobrevoltaje de compuerta

V

$V_{GS}$

V_GS

Voltaje compuerta-fuente

V

$V_{FB}$

V_FB

Voltaje de banda plana

V

$V_{DS}$

V_DS

Voltaje drenaje-fuente

V

$V_{th}$

V_th

Voltaje umbral

V

$W$

W_gate

Ancho de canal

m

$t_{ox}$

t_ox

Espesor del óxido

m

$L$

L_gate

Longitud de canal

m

$ au$

tau

Constante temporal de respuesta

s

$mu_n$

mu_n_carrier

Movilidad electrónica

m²/V·s

ID:(0, 1733)