Storyboard

Contacto entre región tipo p y tipo n; la difusión de portadores hasta el equilibrio crea una región de agotamiento y un potencial de contacto - la base de todo dispositivo semiconductor.

>Modelo

ID:('ky', 1732)

Storyboard

$V_{bi}=\frac{k_BT}{e}\ln\left(\frac{N_DN_A}{n_i^2}\right)$

Variables

$N_A$

Concentración aceptor

$1/m³$

$N_D$

Concentración donor

$1/m³$

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$T$

Temperatura

$K$

$V_{bi}$

Potencial de contacto built-in

$V$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

>Modelo

ID:('gm', 14935)

Storyboard

$W=\sqrt{\frac{2\varepsilon_s(V_{bi}-V)}{e}\left(\frac{1}{N_D}+\frac{1}{N_A}\right)}$

Variables

$N_A$

Concentración aceptor

$1/m³$

$N_D$

Concentración donor

$1/m³$

$e$

Carga elemental

$C$

$varepsilon_s$

Permitividad del semiconductor

$F/m$

$V_{bi}$

Potencial de contacto built-in

$V$

$V$

Voltaje aplicado

$V$

$W$

Ancho total de agotamiento

$m$

>Modelo

ID:('gm', 14936)

Storyboard

$I=I_0\left(e^{eV/(nk_BT)}-1\right)$

Variables

$n$

Factor de idealidad

$1$

$I_0$

Corriente de saturación inversa

$A$

$I$

Corriente del diodo

$A$

$e$

Carga elemental

$C$

$T$

Temperatura

$K$

$V$

Voltaje aplicado

$V$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

>Modelo

ID:('gm', 14937)

Storyboard

$I_0=eA\left(\frac{D_pp_{n0}}{L_p}+\frac{D_nn_{p0}}{L_n}\right)$

Variables

$n_{p0}$

Electrones minoritarios en lado p

$1/m³$

$p_{n0}$

Huecos minoritarios en lado n

$1/m³$

$I_0$

Corriente de saturación inversa

$A$

$e$

Carga elemental

$C$

$L_n$

Longitud de difusión de electrones

$m$

$L_p$

Longitud de difusión de huecos

$m$

$A$

Área de la unión

$m²$

$D_n$

Coeficiente de difusión de electrones

$m²/s$

$D_p$

Coeficiente de difusión de huecos

$m²/s$

>Modelo

ID:('gm', 14938)

Storyboard

$p_{n0}=\frac{n_i^2}{N_D}$

Variables

$N_D$

Concentración donor

$1/m³$

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

$p_{n0}$

Huecos minoritarios en lado n

$1/m³$

>Modelo

ID:('gm', 14939)

Storyboard

$n_{p0}=\frac{n_i^2}{N_A}$

Variables

$N_A$

Concentración aceptor

$1/m³$

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

$n_{p0}$

Electrones minoritarios en lado p

$1/m³$

>Modelo

ID:('gm', 14940)

Storyboard

$W_n=W\frac{N_A}{N_D+N_A}$

Variables

$N_A$

Concentración aceptor

$1/m³$

$N_D$

Concentración donor

$1/m³$

$W_n$

Agotamiento hacia lado n

$m$

$W$

Ancho total de agotamiento

$m$

>Modelo

ID:('gm', 14941)

Storyboard

$W_p=W\frac{N_D}{N_D+N_A}$

Variables

$N_A$

Concentración aceptor

$1/m³$

$N_D$

Concentración donor

$1/m³$

$W_p$

Agotamiento hacia lado p

$m$

$W$

Ancho total de agotamiento

$m$

>Modelo

ID:('gm', 14942)

Descripción

Red de modelo

• Método alternativo
• Método tradicional
• Estrategia
• 2D
• 3D

Ecuación

Número

Primero, seleccione la ecuación:   a ,  luego, seleccione la variable:   a 

---

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

Cálculos

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

 Variable   Dado   Calcule   Objetivo :   Ecuación   A utilizar

Variables

$n$

n_ideal

Factor de idealidad

1

$N_A$

N_A_acc

Concentración aceptor

1/m³

$N_D$

N_D

Concentración donor

1/m³

$n_i$

n_i

Concentración intrínseca

1/m³

$n_{p0}$

n_p0

Electrones minoritarios en lado p

1/m³

$p_{n0}$

p_n0

Huecos minoritarios en lado n

1/m³

$I_0$

I_0_diode

Corriente de saturación inversa

A

$I$

I_diode

Corriente del diodo

A

$e$

e_ch

Carga elemental

C

$varepsilon_s$

eps_s

Permitividad del semiconductor

F/m

$T$

T

Temperatura

K

$V_{bi}$

V_bi

Potencial de contacto built-in

V

$V$

V_applied

Voltaje aplicado

V

$W_n$

W_n

Agotamiento hacia lado n

m

$W_p$

W_p

Agotamiento hacia lado p

m

$W$

W_depl

Ancho total de agotamiento

m

$L_n$

L_n

Longitud de difusión de electrones

m

$L_p$

L_p

Longitud de difusión de huecos

m

$A$

A_junction

Área de la unión

m²

$D_n$

D_n

Coeficiente de difusión de electrones

m²/s

$D_p$

D_p

Coeficiente de difusión de huecos

m²/s

$k_B$

k_B

Constante de Boltzmann

J/K

ID:(0, 1732)