Storyboard

Estados electrónicos dentro del bandgap introducidos por defectos o impurezas metálicas de transición; actúan como centros de recombinación (M4) o trampas de carga (D5).

>Modelo

ID:('ky', 1730)

Storyboard

$f_t=\frac{1}{1+g e^{(E_t-E_F)/(k_BT)}}$

Variables

$g$

Factor de degeneración

$1$

$f_t$

Ocupación del nivel de trampa

$1$

$T$

Temperatura

$K$

$E_F$

Energía de Fermi

$J$

$E_t$

Energía del nivel de trampa

$J$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

>Modelo

ID:('gm', 14922)

Storyboard

$R_c=\sigma v_{th}N_t n$

Variables

$R_c$

Tasa de captura electrónica

$1/m²s$

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$N_t$

Densidad de trampas

$1/m³$

$v_{th}$

Velocidad térmica de portadores

$m/s$

$sigma$

Sección eficaz de captura

$m²$

>Modelo

ID:('gm', 14923)

Storyboard

$v_{th}=\sqrt{\frac{3k_BT}{m_e^*}}$

Variables

$T$

Temperatura

$K$

$m_e^*$

Masa efectiva electrónica

$kg$

$v_{th}$

Velocidad térmica de portadores

$m/s$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

>Modelo

ID:('gm', 14924)

Storyboard

$\tau_c=\frac{1}{\sigma v_{th}N_t}$

Variables

$N_t$

Densidad de trampas

$1/m³$

$v_{th}$

Velocidad térmica de portadores

$m/s$

$sigma$

Sección eficaz de captura

$m²$

$ au_c$

Tiempo característico de captura

$s$

>Modelo

ID:('gm', 14925)

Storyboard

$N_{occ}=f_tN_t$

Variables

$f_t$

Ocupación del nivel de trampa

$1$

$N_t$

Densidad de trampas

$1/m³$

$N_{occ}$

Trampas ocupadas

$1/m³$

>Modelo

ID:('gm', 14926)

Storyboard

$P_{c,t+\Delta t}=1-(1-P_c)e^{-\Delta t/\tau_c}$

Variables

$P_c$

Probabilidad acumulada de captura

$1$

$Delta t$

Paso temporal

$s$

$ au_c$

Tiempo característico de captura

$s$

>Modelo

ID:('gm', 14927)

Descripción

Red de modelo

• Método alternativo
• Método tradicional
• Estrategia
• 2D
• 3D

Ecuación

Número

Primero, seleccione la ecuación:   a ,  luego, seleccione la variable:   a 

---

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

Cálculos

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

 Variable   Dado   Calcule   Objetivo :   Ecuación   A utilizar

Variables

$g$

g_deg

Factor de degeneración

1

$f_t$

f_trap

Ocupación del nivel de trampa

1

$P_c$

P_capture

Probabilidad acumulada de captura

1

$R_c$

R_capture

Tasa de captura electrónica

1/m²s

$n$

n_e_conc

Concentración de electrones

1/m³

$N_t$

N_trap

Densidad de trampas

1/m³

$N_{occ}$

N_occ_trap

Trampas ocupadas

1/m³

$T$

T

Temperatura

K

$m_e^*$

m_e_star

Masa efectiva electrónica

kg

$v_{th}$

v_th_thermal

Velocidad térmica de portadores

m/s

$E_F$

E_F

Energía de Fermi

J

$E_t$

E_trap

Energía del nivel de trampa

J

$sigma$

sigma_capture

Sección eficaz de captura

m²

$k_B$

k_B

Constante de Boltzmann

J/K

$Delta t$

dt

Paso temporal

s

$ au_c$

tau_capture

Tiempo característico de captura

s

ID:(0, 1730)