Storyboard

Concentración de portadores en equilibrio térmico; la concentración intrínseca n_i es el parámetro que fija el comportamiento del semiconductor no dopado y aparece en toda ley de acción de masas posterior.

>Modelo

ID:('ky', 1727)

Storyboard

$N_c=2\left(\frac{2\pi m_e^*k_BT}{h^2}\right)^{1.5}$

Variables

$N_c$

Densidad efectiva de estados en conducción

$1/m³$

$T$

Temperatura

$K$

$m_e^*$

Masa efectiva del electrón

$kg$

$h$

Constante de Planck

$J·s$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

>Modelo

ID:('gm', 14895)

Storyboard

$N_v=2\left(\frac{2\pi m_h^*k_BT}{h^2}\right)^{1.5}$

Variables

$N_v$

Densidad efectiva de estados en valencia

$1/m³$

$T$

Temperatura

$K$

$m_h^*$

Masa efectiva del hueco

$kg$

$h$

Constante de Planck

$J·s$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

>Modelo

ID:('gm', 14896)

Storyboard

$n_i=\sqrt{N_cN_v}\exp!\left(-\frac{E_g}{2k_BT}\right)$

Variables

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

$N_c$

Densidad efectiva de estados en conducción

$1/m³$

$N_v$

Densidad efectiva de estados en valencia

$1/m³$

$T$

Temperatura

$K$

$E_g$

Bandgap

$J$

$k_B$

Constante de Boltzmann

$J/K$

>Modelo

ID:('gm', 14897)

Storyboard

$np=n_i^2$

Variables

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$p$

Concentración de huecos

$1/m³$

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

>Modelo

ID:('gm', 14898)

Storyboard

$n-p=N_D-N_A$

Variables

$N_A$

Concentración de aceptores

$1/m³$

$N_D$

Concentración de donadores

$1/m³$

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$p$

Concentración de huecos

$1/m³$

>Modelo

ID:('gm', 14899)

Storyboard

$n=\frac{N_D-N_A+\sqrt{(N_D-N_A)^2+4n_i^2}}{2}$

Variables

$N_A$

Concentración de aceptores

$1/m³$

$N_D$

Concentración de donadores

$1/m³$

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

>Modelo

ID:('gm', 14900)

Storyboard

$p=\frac{n_i^2}{n}$

Variables

$n$

Concentración de electrones

$1/m³$

$p$

Concentración de huecos

$1/m³$

$n_i$

Concentración intrínseca

$1/m³$

>Modelo

ID:('gm', 14901)

Storyboard

$\frac{dT}{dt}=\frac{T_{target}-T}{\tau}$

Variables

$T$

Temperatura

$K$

$T_{target}$

Temperatura objetivo ajustable

$K$

$ au$

Constante temporal térmica

$s$

>Modelo

ID:('gm', 14902)

Descripción

Red de modelo

• Método alternativo
• Método tradicional
• Estrategia
• 2D
• 3D

Ecuación

Número

Primero, seleccione la ecuación:   a ,  luego, seleccione la variable:   a 

---

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

Cálculos

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

 Variable   Dado   Calcule   Objetivo :   Ecuación   A utilizar

Variables

$N_A$

N_A

Concentración de aceptores

1/m³

$N_D$

N_D

Concentración de donadores

1/m³

$n$

n_e_conc

Concentración de electrones

1/m³

$p$

p_h_conc

Concentración de huecos

1/m³

$n_i$

n_i

Concentración intrínseca

1/m³

$N_c$

N_c

Densidad efectiva de estados en conducción

1/m³

$N_v$

N_v

Densidad efectiva de estados en valencia

1/m³

$T$

T

Temperatura

K

$T_{target}$

T_target

Temperatura objetivo ajustable

K

$m_e^*$

m_e_star

Masa efectiva del electrón

kg

$m_h^*$

m_h_star

Masa efectiva del hueco

kg

$h$

h_planck

Constante de Planck

J·s

$E_g$

E_g

Bandgap

J

$k_B$

k_B

Constante de Boltzmann

J/K

$ au$

tau

Constante temporal térmica

s

ID:(0, 1727)