Storyboard

El potencial de accion es una despolarizacion transitoria y regenerativa de la membrana, generada por la apertura y cierre secuencial y dependiente de voltaje de canales de Na+ y K+. El modelo de Hodgkin-Huxley describe la corriente total de membrana como la suma de una corriente de Na+ rapida (activada por m e inactivada por h), una corriente de K+ mas lenta (activada por n) y una corriente de fuga pasiva, cada una gobernada por variables de gating cuya cinetica depende del voltaje instantaneo. Cada variable de gating relaja exponencialmente hacia un valor estacionario dependiente de voltaje (x_inf) con una constante de tiempo tambien dependiente de voltaje (tau_x), lo que produce la fase de despolarizacion rapida (apertura de m), la repolarizacion (inactivacion h y activacion tardia de n) y el periodo refractario. Este modelo usa las mismas variables V_m, C_m, g_i, E_i, I_ext definidas en E01, extendiendolas con conductancias dependientes de tiempo y voltaje.

>Modelo

ID:('ky', 1522)

Storyboard

$C_m\frac{dV_m}{dt}=I_{ext}-g_{Na}^{max}m^3h(V_m-E_{Na})-g_K^{max}n^4(V_m-E_K)-g_L(V_m-E_L)$

Variables

$h$

Variable de compuerta h

$1$

$m$

Variable de compuerta m

$1$

$n$

Variable de compuerta n

$1$

$I_{ext}$

Corriente externa

$A/m²$

$g_L$

Conductancia de fuga

$S/m²$

$g_K^{max}$

Conductancia máxima K

$S/m²$

$g_{Na}^{max}$

Conductancia máxima Na

$S/m²$

$C_m$

Capacitancia de membrana

$F/m²$

$V_m$

Potencial de membrana

$V$

$E_K$

Potenciales de reversión de K

$V$

$E_L$

Potenciales de reversión de L

$V$

$E_{Na}$

Potenciales de reversión de Na

$V$

$t$

Tiempo

$s$

>Modelo

ID:('gm', 13503)

Storyboard

$\frac{dm}{dt}=\alpha_m(V_m)(1-m)-\beta_m(V_m)m$

Variables

$m$

Variable de compuerta m

$1$

$V_m$

Potencial de membrana

$V$

$t$

Tiempo

$s$

>Modelo

ID:('gm', 13504)

Storyboard

$\frac{dh}{dt}=\alpha_h(V_m)(1-h)-\beta_h(V_m)h$

Variables

$h$

Variable de compuerta h

$1$

$V_m$

Potencial de membrana

$V$

$t$

Tiempo

$s$

>Modelo

ID:('gm', 13505)

Storyboard

$\frac{dn}{dt}=\alpha_n(V_m)(1-n)-\beta_n(V_m)n$

Variables

$n$

Variable de compuerta n

$1$

$V_m$

Potencial de membrana

$V$

$t$

Tiempo

$s$

>Modelo

ID:('gm', 13506)

Storyboard

$x_\infty=\frac{\alpha_x}{\alpha_x+\beta_x}$

Variables

$x_infty$

Valor estacionario gating

$1$

$alpha_x$

Tasa de transición gating alpha

$1/s$

$\beta_x$

Tasa de transición gating beta

$1/s$

$V_m$

Potencial de membrana

$V$

>Modelo

ID:('gm', 13507)

Storyboard

$\tau_x=\frac{1}{\alpha_x+\beta_x}$

Variables

$alpha_x$

Tasa de transición gating alpha

$1/s$

$\beta_x$

Tasa de transición gating beta

$1/s$

$V_m$

Potencial de membrana

$V$

$ au_x$

Constante temporal gating

$s$

>Modelo

ID:('gm', 13508)

Storyboard

$g_{Na}=g_{Na}^{max}m^3h$

Variables

$h$

Variable de compuerta h

$1$

$m$

Variable de compuerta m

$1$

$g_{Na}$

Conductancia dinámica de Na

$S/m²$

$g_{Na}^{max}$

Conductancia máxima Na

$S/m²$

$t$

Tiempo

$s$

>Modelo

ID:('gm', 13509)

Storyboard

$g_K=g_K^{max}n^4$

Variables

$n$

Variable de compuerta n

$1$

$g_K$

Conductancia dinámica de K

$S/m²$

$g_K^{max}$

Conductancia máxima K

$S/m²$

$t$

Tiempo

$s$

>Modelo

ID:('gm', 13510)

Storyboard

$V_{th}=E_L+\Delta V_{th}e^{-t/\tau_{ref}}$

Variables

$Delta V_{th}$

Elevación refractaria umbral

$V$

$E_L$

Potenciales de reversión de L

$V$

$V_{th}$

Umbral dinámico

$V$

$t$

Tiempo

$s$

$ au_{ref}$

Tiempo refractario

$s$

>Modelo

ID:('gm', 13511)

Descripción

Red de modelo

• Método alternativo
• Método tradicional
• Estrategia
• 2D
• 3D

Ecuación

Número

Primero, seleccione la ecuación:   a ,  luego, seleccione la variable:   a 

---

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

Cálculos

Símbolo

Ecuación

Resuelto

Traducido

 Variable   Dado   Calcule   Objetivo :   Ecuación   A utilizar

Variables

$x_infty$

x_inf

Valor estacionario gating

1

$h$

h

Variable de compuerta h

1

$m$

m

Variable de compuerta m

1

$n$

n

Variable de compuerta n

1

$alpha_x$

alpha_x

Tasa de transición gating alpha

1/s

$\beta_x$

beta_x

Tasa de transición gating beta

1/s

$I_{ext}$

I_ext

Corriente externa

A/m²

$g_L$

g_L

Conductancia de fuga

S/m²

$g_K$

g_K

Conductancia dinámica de K

S/m²

$g_{Na}$

g_Na

Conductancia dinámica de Na

S/m²

$g_K^{max}$

g_K_max

Conductancia máxima K

S/m²

$g_{Na}^{max}$

g_Na_max

Conductancia máxima Na

S/m²

$C_m$

C_m

Capacitancia de membrana

F/m²

$Delta V_{th}$

DeltaVth

Elevación refractaria umbral

V

$V_m$

Vm

Potencial de membrana

V

$E_K$

E_K

Potenciales de reversión de K

V

$E_L$

E_L

Potenciales de reversión de L

V

$E_{Na}$

E_Na

Potenciales de reversión de Na

V

$V_{th}$

Vth

Umbral dinámico

V

$ au_x$

tau_x

Constante temporal gating

s

$t$

t

Tiempo

s

$ au_{ref}$

tau_ref

Tiempo refractario

s

ID:(0, 1522)